FA1A60N

Tipo de componente: MOSFET canal N.

Encapsulado: SOP-8 (superficie).

Tensión drenador-fuente (Vds): ~600 V.

Corriente de drenador (Id): ~6-8 A según el fabricante.

Rds(on): bajo, optimizado para eficiencia en conmutación.

Aplicaciones:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

• Cargadores.

• Equipos de electrónica de consumo.

• Circuitos de conmutación en alta frecuencia.