Memoria EEPROM serie no volátil. SOIC-8
Tapa: 4
Voltio: 2,5 V
Interfaz: PAG
Encapsulado: SOP-8
Protección contra escritura: Pin 7 yWP(Escribir Prot
T~5 ms p
Ciclos de borrado/escritura: 1 millón aprox.
Retención de datos:~100 años
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