Circuito integrado de memoria Flash paralela.
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Tipo de memoria: Flash NOR.
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Organización: 2 M × 8 bits o 1 M × 16 bits (seleccionable).
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Capacidad total: 16 Mbit (2 MB).
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Voltaje de operación: 3.0 V (2.7 – 3.6 V).
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Interfaz: Paralela (bus de datos de 8/16 bits + bus de direcciones).
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Tiempo de acceso: 70 ns (según sufijo 70).
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Sectores / Bloques: arquitectura de sectors erase, borrado por bloques.
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Ciclos de borrado/escritura: mínimo 100.000 ciclos por sector.
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Retención de datos: típicamente 20 años o más.
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Encapsulado: TSOP-48 (0.5 mm pitch).
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