D2922

Tipo: MOSFET canal N.

Encapsulado: TO-252 (DPAK) de montaje superficial.

Tensión drenador-surtidor (Vds): 30 V máx.

Corriente de drenador (Id): hasta 100 A (Tc = 25 °C, con buena disipación).

Resistencia de conducción (Rds(on)):

• 2,1 mΩ máx. @ Vgs = 10 V

• 3,0 mΩ máx. @ Vgs = 4,5 V

Tensión compuerta-surtidor (Vgs): ±20 V

Carga de compuerta total (Qg): ~88 nC @ Vgs = 10 V

Potencia de disipación (Pd): hasta ~300 W (con disipador adecuado)

Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C