MOSFET de potencia canal N de alta corriente y baja resistencia. TO-252
Tipo: MOSFET canal N.
Encapsulado: TO-252 (DPAK).
Tensión drenador-surtidor (Vds): 40 V máx.
Corriente de drenador (Id): hasta 80 A (a Tc=25 °C, con buen disipador).
Rds(on):
6,5 mΩ máx. @ Vgs = 10 V
9,0 mΩ máx. @ Vgs = 4,5 V
Vgs (tensión de compuerta): ±20 V
Carga de compuerta (Qg): ~38 nC @ Vgs=10 V
Potencia de disipación (Pd): ~70 W (a Tc=25 °C)
Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C
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