2N7002 / 2N7000

Tipo: N-Channel MOSFET de propósito general, similar al 2N7000 pero optimizado para montaje superficial (SMD).

Encapsulado típico: SOT-23.

Tensión drenaje-fuente máxima (V_DS): 60 V.

Corriente drenaje máxima (I_D): 115 mA (varía según fabricante).

Resistencia de encendido (R_DS(on)): típ. 5 Ω a V_GS = 10 V.

Voltaje umbral (V_GS(th)): 0.8–3 V (baja tensión de activación).

Aplicaciones típicas: reemplazo SMD del 2N7000, circuitos compactos, switching de baja corriente, interfacing con microcontroladores, cargas pequeñas.