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Tipo: N-Channel MOSFET de propósito general, similar al 2N7000 pero optimizado para montaje superficial (SMD).
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Encapsulado típico: SOT-23.
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Tensión drenaje-fuente máxima (V_DS): 60 V.
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Corriente drenaje máxima (I_D): 115 mA (varía según fabricante).
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Resistencia de encendido (R_DS(on)): típ. 5 Ω a V_GS = 10 V.
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Voltaje umbral (V_GS(th)): 0.8–3 V (baja tensión de activación).
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Aplicaciones típicas: reemplazo SMD del 2N7000, circuitos compactos, switching de baja corriente, interfacing con microcontroladores, cargas pequeñas.
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