Tipo de transistor: N-Channel MOSFET de alta velocidad.
Encapsulado: TO-220F.
Voltaje máximo (Vds): 750 V.
Corriente máxima (Id): 6.5 A.
Rds(on): Baja resistencia en conducción para minimizar pérdidas.
Frecuencia de conmutación: Alta velocidad para aplicaciones de conmutación eficiente.
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