BUZ100S

Encapsulado: P‑TO263‑3‑2 (D2PAK / TO‑263 SMD)

V_DS máximo: 55 V

Corriente continua I_D: 77 A @ 25 °C, 55 A @ 100 °C

R_DS(on): 0.015 Ω típicamente con V_GS = 10 V

E_A_S (energy de avalancha): 380 mJ

Tensión puerta-suministro: ±20 V max

Temperatura de unión: –55 °C a +175 °C

Resistencia térmica: R_θJC ≈ 0.88 K/W, R_θJA ≈ 62 °C/W sin disipador

Capacitancias: C_iss ≈ 1900‑2375 pF, C_oss ≈ 615‑770 pF

Tiempos de conmutación rapida: t_d(on) ≈ 15‑25 ns, t_rise ≈ 30‑45 ns