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Tipo: MOSFET canal N.
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Encapsulado: TO-252 (DPAK) de montaje superficial.
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Tensión drenador-surtidor (Vds): 30 V máx.
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Corriente de drenador (Id): hasta 100 A (Tc = 25 °C, con buena disipación).
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Resistencia de conducción (Rds(on)):
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2,1 mΩ máx. @ Vgs = 10 V
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3,0 mΩ máx. @ Vgs = 4,5 V
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Tensión compuerta-surtidor (Vgs): ±20 V
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Carga de compuerta total (Qg): ~88 nC @ Vgs = 10 V
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Potencia de disipación (Pd): hasta ~300 W (con disipador adecuado)
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Temperatura de operación: –55 °C a +175 °C
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