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Tipo: MOSFET canal N
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Encapsulado: TO-252 (DPAK, SMD)
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Tensión drenador-surtidor (Vds): 400 V
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Corriente de drenador (Id): 9 A (Tc=25 °C, con disipador adecuado)
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Resistencia de conducción (Rds(on)): ~1,5 Ω @ Vgs = 10 V
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Voltaje compuerta-surtidor (Vgs): ±20 V
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Potencia de disipación: ~60 W (con disipador)
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Frecuencia de conmutación: hasta decenas de kHz
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