Tipo de componente: Transistor de efecto de campo (MOSFET) de canal N.
Encapsulado: TO‑220 o similar (montaje through-hole, con aleta para disipador).
Función principal: Conmutación o amplificación de corriente en aplicaciones de potencia.
Tensión máxima drenador‑fuente (Vds): 150 V
Corriente máxima drenador (Id): 75 A (con buena disipación de calor, condiciones de pulso)
Resistencia interna de encendido (Rds(on)): muy baja, típicamente 0,0085 Ω
Tensión de puerta‑fuente (Vgs) de umbral: ~2‑4 V
Tipo de conducción: Canal N (necesita tensión positiva en la puerta para conducir)
Capacidad de conmutación rápida: adecuada para aplicaciones de switching (PWM, control de motores, fuentes conmutadas)
Protección interna: no suele incluir diodos internos de protección, por lo que a menudo se añade un diodo externo si la carga es inductiva.
Temperatura de operación: –55 °C a +150 °C
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