| Parámetro | Valor típico |
|---|---|
| Tipo | N-Channel MOSFET |
| Tensión de drenaje-fuente (VDS) | 500 V |
| Corriente de drenaje continua (ID) | 8 A |
| RDS(on) (a VGS=10V) | 0.85 Ω (máx.) |
| VGS(th) (Tensión umbral) | 2.0 – 4.0 V |
| Disipación de potencia (PD) | 125 W |
| Encapsulado | TO-220 |
| Tecnología | MOSFET de potencia de tipo planario |
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