Tipo: MOSFET de canal N
Tensión máxima (V<sub>DS</sub>): 650 V
Corriente máxima (I<sub>D</sub>): 7.0 A a V<sub>GS</sub> = 10 V
Resistencia en estado ON (R<sub>DS(on)</sub>): ≤ 1.35 Ω a V<sub>GS</sub> = 10 V
Potencia de disipación máxima: 42 W
Encapsulado: TO-220F (montaje a través de orificio)
Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C
Aplicaciones comunes: Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), corrección del factor de potencia (PFC), conmutación de alta corriente y alta velocidad.
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