Encapsulado DIP-7
-
MOSFET integrado: soporta hasta 650 V.
-
Frecuencia: 132 kHz con jitter (~8 kHz p‑p), para reducción de EMI
-
Potencia máxima:
-
~10 W en carcasa cerrada (230 VAC), ~7 W en fuente universal 85–265 VAC.
-
Hasta ~19 W en modo open-frame (230 VAC), ~15 W en soportes abiertos universales
-
Ciclo de trabajo máximo: 65 %
-
-
Corriente de supply interna: ~75 mA.
-
Corriente de operación en vacío: ~310 µA
-
Rango térmico: –40 °C a +150 °C
Valoraciones
No hay valoraciones aún.