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Encapsulado: DIP‑8B (7 pines activos)
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MOSFET interno: 700 V
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Frecuencia de conmutación: ~132 kHz
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Potencia de salida continua:
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~13 W en carcasa cerrada a 230 VAC
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~19 W en fuente abierta a 230 VAC
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Corriente máxima: alrededor de 0,48 A
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Rango de entrada: 85–265 VAC
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Consumo sin carga: <50 mW (con bobina auxiliar) o <250 mW (sin ella)
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Temperatura de operación: –40 °C a +150 °C (TJ)
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