D9N40

Tipo: MOSFET canal N

Encapsulado: TO-252 (DPAK, SMD)

Tensión drenador-surtidor (Vds): 400 V

Corriente de drenador (Id): 9 A (Tc=25 °C, con disipador adecuado)

Resistencia de conducción (Rds(on)): ~1,5 Ω @ Vgs = 10 V

Voltaje compuerta-surtidor (Vgs): ±20 V

Potencia de disipación: ~60 W (con disipador)

Frecuencia de conmutación: hasta decenas de kHz