Transistor MOSFET N-Channel de potencia. Encapsulado TO-220
Tipo: N-Channel Power MOSFET
Encapsulado: TO-220
Voltaje drenador-fuente (Vds): 600 V
Corriente de drenador (Id): 11 A (a 25 °C)
Resistencia de encendido (Rds(on)): 0.48 Ω (máx a Vgs = 10 V)
Tensión de compuerta (Vgs): ±30 V (máx)
Energía avalancha (EAS): 270 mJ
Carga de compuerta (Qg): 36 nC (típico)
Frecuencia de conmutación: Alta, ideal para switching
Potencia disipada (Pd): 83 W
Temperatura operativa: -55 °C a +150 °C
FGPF4536Disponibilidad: 6 disponibles
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