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Tipo: Diodo de recuperación rápida
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Encapsulado: DO-41 (axial, mismo formato que el 1N4007 o 1N5819 axial)
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Voltaje inverso máximo (VR): 1000 V
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Corriente directa máxima (IF): 1 A continua
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Corriente de pico (IFSM): 30 A (por ciclo de 8.3 ms)
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Tiempo de recuperación inversa (trr): < 500 ns (mucho más rápido que los 2-3 µs de un 1N4007)
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Caída de tensión directa (VF):
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Típicamente 1.1 V a 1 A
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