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IRGB10B60KD

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Disponibilidad: 19 disponibles

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IGBT 600V 12A

  • Tensión máxima colector-emisor (V_CES): 600 V

  • Corriente continua máxima (I_C): 22 A a 25 °C, 12 A a 100 °C

  • Corriente máxima de pico (I_CM): 44 A

  • Corriente de diodo continua (I_F): 22 A a 25 °C, 10 A a 100 °C

  • Corriente máxima de pico del diodo (I_FM): 44 A

  • Tensión de umbral de puerta-emisor (V_GE(th)): 3.5 a 5.5 V

  • Tensión de saturación colector-emisor (V_CE(on)): typ. 1.8 V a 10 A, 15 V V_GE

  • Pérdida de conducción del diodo (V_F): typ. 1.3 V a 10 A

  • Potencia máxima de disipación (P_D): 156 W a 25 °C, 62 W a 100 °C

  • Tiempo de subida (t_r): typ. 20 ns

  • Tiempo de apagado (t_f): máx. 34 ns

  • Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C

  • Encapsulado: TO-220AB

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