Tipo: Transistor BJT NPN.
Encapsulado: TO-220.
Voltaje colector–emisor (Vceo): 100 V máx.
Corriente de colector (Ic): 3 A máx.
Potencia disipada (Pd): hasta 40 W (con disipador).
Ganancia de corriente (hFE): 10 – 50 (según la corriente).
Frecuencia de transición (ft): ~3 MHz.
Complementario: TIP32C
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