Encapsulado DIP-7
MOSFET integrado: soporta hasta 650 V.
Frecuencia: 132 kHz con jitter (~8 kHz p‑p), para reducción de EMI
Potencia máxima:
~10 W en carcasa cerrada (230 VAC), ~7 W en fuente universal 85–265 VAC.
Hasta ~19 W en modo open-frame (230 VAC), ~15 W en soportes abiertos universales
Ciclo de trabajo máximo: 65 %
Corriente de supply interna: ~75 mA.
Corriente de operación en vacío: ~310 µA
Rango térmico: –40 °C a +150 °C
TNY176PNDisponibilidad: 10 disponibles
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