TNY176PN

Encapsulado DIP-7

• MOSFET integrado: soporta hasta 650 V.

• Frecuencia: 132 kHz con jitter (~8 kHz p‑p), para reducción de EMI

• Potencia máxima:

  • ~10 W en carcasa cerrada (230 VAC), ~7 W en fuente universal 85–265 VAC.

  • Hasta ~19 W en modo open-frame (230 VAC), ~15 W en soportes abiertos universales

  • Ciclo de trabajo máximo: 65 %

• Corriente de supply interna: ~75 mA.

• Corriente de operación en vacío: ~310 µA

• Rango térmico: –40 °C a +150 °C