MOSFET de canal N de alta potencia
Tensión máxima drenaje-fuente (V<sub>DS</sub>): 650 V
Corriente máxima de drenaje (I<sub>D</sub>): 20 A
Corriente de pulso (I<sub>DM</sub>): 100 A
Resistencia en conducción (R<sub>DS(on)</sub>): 0,08 Ω
Carga total de puerta (Q<sub>G</sub>): 46 nC
Encapsulado: TO-220F
Temperatura máxima de unión (T<sub>j</sub>): 150 °C
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