FA1A50N

Tipo de componente: MOSFET canal N.

Encapsulado: SOP-8 (montaje superficial).

Uso típico: Fuentes conmutadas (SMPS), cargadores, inversores y circuitos de conmutación de potencia.

Parámetros típicos (según hoja de datos de esta serie):

• Vds (máx): ~500 V.

• Id (máx): ~8-10 A.

• Rds(on): bajo, optimizado para eficiencia.