Transistor bipolar de potencia NPN (BJT)
Tipo: Transistor NPN de silicio de potencia.
Encapsulado: TO-220.
Tensión colector-emisor (Vceo): 450 V.
Tensión colector-base (Vcbo): 900 V.
Corriente de colector (Ic): 8 A (pico 15 A).
Potencia de disipación (Ptot): ~125 W (a 25 °C, con disipador adecuado).
Ganancia de corriente continua (hFE): 5 a 30 (dependiendo de corriente).
Frecuencia de transición (ft): 4 MHz aprox.
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