IRF840
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IRF840

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Parámetro Valor típico
Tipo N-Channel MOSFET
Tensión de drenaje-fuente (VDS) 500 V
Corriente de drenaje continua (ID) 8 A
RDS(on) (a VGS=10V) 0.85 Ω (máx.)
VGS(th) (Tensión umbral) 2.0 – 4.0 V
Disipación de potencia (PD) 125 W
Encapsulado TO-220
Tecnología MOSFET de potencia de tipo planario

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