Encapsulado DIP-7
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MOSFET integrado: soporta hasta 650 V.
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Frecuencia: 132 kHz con jitter (~8 kHz p‑p), para reducción de EMI
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Potencia máxima:
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~10 W en carcasa cerrada (230 VAC), ~7 W en fuente universal 85–265 VAC.
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Hasta ~19 W en modo open-frame (230 VAC), ~15 W en soportes abiertos universales
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Ciclo de trabajo máximo: 65 %
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Corriente de supply interna: ~75 mA.
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Corriente de operación en vacío: ~310 µA
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Rango térmico: –40 °C a +150 °C
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